闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备与流程



1.本发明实施例涉及存储器技术领域,尤其涉及一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备。


背景技术:



2.近几年来电子产品技术的快速发展,使得消费者对于电子产品的体验要求越来越高,更高速便捷的存储产品的需求也越来越大。在应用中,有时由于外界的因素或者是闪存芯片的数据保持能力差,导致闪存单元的配置信息和生产信息发生变化。因此,在生产过程中需要对闪存芯片的数据保持性能进行检测。
3.现有技术常规的闪存干扰筛选测试中,干扰测试次数多,周期较长,影响测试效率,并且在较深的编程状态下干扰处理容易在闪存单元沟道界面产生影响沟道电流的界面态或者聚集可移动电荷(比如离子)等,从而影响后续编程精度。


技术实现要素:



4.本发明提供一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备,减少测试周期,提高测试效率,降低对后续的编程精度的影响。
5.第一方面,本发明实施例提供一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,包括:
6.对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理;
7.读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数
8.对所述闪存芯片进行干扰处理;
9.读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数;
10.判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值,若所述差值符合预设变化范围,则所述闪存单元的数据保持性能合格。
11.可选的,对所述闪存芯片进行预处理,包括:
12.获取所述闪存单元的亚阈值区域;其中,所述亚阈值区域表征所述闪存芯片工作区域的电压范围;
13.根据所述第一模拟电参数匹配所述亚阈值区域内的写入电压;
14.根据所述写入电压对所述闪存单元进行模拟闪存编程,将所述第一模拟电参数写入所述闪存单元。
15.可选的,对所述闪存芯片进行预处理,包括:
16.擦除所述闪存单元的存储数据。
17.可选的,在擦除所述闪存单元的存储数据之后,还包括:
18.确定所述闪存单元的检测模拟电参数区间;
19.根据所述检测模拟电参数区间对所述闪存单元进行检测;若所述闪存单元的模拟参数在所述模拟电参数区间内,则所述闪存单元擦除正常。
20.可选的,读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数,包括:
21.对所述闪存单元施加读取电压,读取所述闪存单元存储的所述第二模拟电参数。
22.可选的,对所述闪存芯片进行干扰处理包括对所述闪存芯片进行烘烤。
23.第二方面,本发明实施例提供一种闪存芯片的数据保持性能的筛选装置,包括:
24.预处理模块,用于对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理;
25.第一读取模块,用于读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数;
26.干扰模块,用于对所述闪存芯片进行干扰处理;
27.第一读取模块,还用于读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数;
28.判断模块,用于判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值,若所述差值符合预设变化范围,则所述闪存单元的数据保持性能合格。
29.可选的,所述预处理模块包括:
30.获取单元,用于获取所述闪存单元的亚阈值区域;其中,所述亚阈值区域表征所述闪存芯片工作区域的电压范围;
31.匹配单元,用于根据所述第一模拟电参数匹配所述亚阈值区域内的写入电压;
32.编程单元,用于根据所述写入电压对所述闪存单元进行模拟闪存编程,将所述第一模拟电参数写入所述闪存单元。
33.可选的,所述预处理模块包括:
34.所述擦除单元用于擦除所述闪存单元。
35.第三方面,本发明实施例提供一种电子设备,所述电子设备包括:
36.至少一个处理器;以及
37.与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序,所述计算机程序被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-6中任一项所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法。
38.现有技术中,利用棋盘编程的方式,对闪存单元进行数字编程,通过限定的状态“0”和状态“1”的测试区间,将测试区间的边界作为判断标准,通过至少两次干扰处理,对闪存单元的状态“0”和状态“1”分别判断。相比于现有技术,本发明实施例提供的技术方案,通过对闪存芯片的闪存单元进行预处理,预处理后直接读取闪存单元的第一模拟电参数,再进行干扰处理,读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数,比较干扰处理前后的模拟电参数的变化差值,通过该差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响,可以仅通过一次干扰处理,即可判断闪存单元的数据保持性能,减少测试周期提高测试效率,降低后续的模拟闪存编程精度的影响。
附图说明
39.图1为现有技术中的一种数字数据保持测试中样本数与存储单元电流关系的示意图。
40.图2为现有技术中的一种数字数据保持测试数据的流程示意图。
41.图3为本发明实施例提供的一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图。
42.图4为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图。
43.图5为本发明实施例提供的一种电压与闪存单元电流的关系示意图。
44.图6为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图。
45.图7为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图。
46.图8为本发明实施例提供的一种闪存单元电流与样本数的关系示意图。
47.图9为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图。
48.图10为本发明实施例提供的一种闪存芯片的数据保持性能的筛选装置的结构示意图。
49.图11提出了一种可以用来实施本发明的实施例的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
50.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
51.图1为现有技术中的一种数字数据保持测试中样本数与存储单元电流关系的示意图,图2为现有技术中的一种数字数据保持测试数据的流程示意图,参见图1和图2,闪存芯片是一种能够进行数据文件存储的存储芯片,使用者在使用闪存芯片时,在理想情况下,闪存单元的存储电流小于第一限定电流normal时则表示为“0”数据保存,闪存单元的存储电流大于第一限定电流normal时则表示为“1”数据保存。但在闪存芯片的干扰筛选中,需要增大筛选范围作为测试区间,因此,需要定义第二限定电流margin1和第三限定电流margin0,作为测试区间的边界,第二限定电流margin1为“1”数据保存的最小电流,第三限定电流margin0为“0”数据保存的电流的最大电流。闪存芯片经过干扰处理后,闪存单元内为“1”数据保存的存储电流将变小,向“0”方向移动,闪存单元内为“0”数据保存的存储电流将变大,向“1”方向移动,因此,经过干扰处理,若闪存单元中为“0”数据保存的电流仍小于第三限定电流margin0,闪存单元中为“1”数据保存的电流仍大于第二限定电流margin1,则说明数据保持性能合格。测试过程为:对闪存芯片进行深入擦除后,示例性的,对闪存芯片进行棋盘编程写入“0101
……”
,对编程失败的进行筛选,筛选通过的经过干扰处理,以第二限定电流margin1和第三限定电流margin0为标准进行判断,从而判断闪存芯片数据保持性能是否合格,再次深入擦除,则对闪存芯片进行翻转棋盘编程写入“1010
……”
,经过干扰处理后,以第二限定电流margin1和第三限定电流margin0为标准进行判断,从而判断数据保持性能是否合格。整个测试流程至少需要2次干扰处理,测试周期长,并且在较深的编程状态后,进行干扰处理容易在存储单元沟道界面产生影响沟道电流的界面态或者聚集可移动电荷(比如离子)等,从而影响后续的编程精度。
52.有鉴于此,图3为本发明实施例提供的一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图,本实施例可适用于闪存芯片的数据保持性能的筛选情况,该方法可以由闪存芯片的数据保持性能的筛选装置来执行,该装置可采用硬件和/或软件的方式来实现。该方法
具体包括如下步骤:
53.s110、对闪存芯片的闪存单元进行预处理。
54.其中,闪存芯片内包括至少两个闪存单元,闪存单元通常以阵列形式排布。在进行数据保持性能筛选中,可以选取整个闪存芯片,或选取闪存芯片中的均匀区域内的闪存单元进行筛选测试。预处理是通过擦除/编程等处理过程改变闪存单元储存状态。现有技术中,通过棋盘编程对闪存单元进行数字编程,而本实施例中,示例性的,预处理过程包括擦除闪存单元中存储数据,使擦除后闪存单元在接近中性储存状态,或通过模拟编程向存储单元中存储模拟数值,利用预处理后的闪存单元储存的模拟电参数进行后续的数据保持性能的筛选。
55.s120、读取预处理后闪存单元的第一模拟电参数。
56.具体的,第一模拟电参数为闪存单元的浮置栅极中的沟道电流,其中,闪存单元,具有源极、漏极、浮置栅极和控制栅极。浮置栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏,采用这种结构,从而使得闪存单元具有电荷保持能力。在对闪存单元进行预处理后,通过在闪存单元上施加读取电压,读取闪存单元的第一模拟电参数。
57.s130、对闪存芯片进行干扰处理。
58.具体的,干扰处理是将闪存芯片置于容易造成数据丢失的模拟环境的过程,用以检测闪存芯片经过模拟环境后,是否还具有良好的数据保持性能。示例性的,将闪存芯片进行高温烘焙,模拟高温环境对数据保持的影响。
59.s140、读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数。
60.具体的,在干扰处理后,通过在闪存单元上施加读取电压,读取闪存单元的第二模拟电参数。
61.s150、判断第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,若差值符合预设变化范围,则闪存单元的数据保持性能合格。
62.具体的,在干扰处理后,根据存储的电荷类型,闪存单元的沟道电流可能变大或变小,因此,通过获得干扰处理前后,第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,通过差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响。若经过过长时间的烘焙后,获取的第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,该差值处于正常范围内,则说明闪存单元的数据保持性能稳定,若第一模拟电参数与第二模拟电参数差值超过正常范围,则说明闪存单元的数据保持性能存在缺陷。
63.本发明实施例提供的技术方案,通过对闪存芯片的闪存单元进行预处理,预处理后直接读取闪存单元的第一模拟电参数,再进行干扰处理,读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数,比较干扰处理前后的模拟电参数的变化差值,通过该差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响,仅通过一次的干扰处理即可判断数据保持性能,减少测试周期提高测试效率,在预处理后进行读取,再进行干扰处理,从而降低对后续的编程精度的影响。
64.图4为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图,参见图4,该方法步骤包括:
65.s210、获取闪存单元的亚阈值区域。其中,亚阈值区域表征闪存芯片工作区域的电
压范围。
66.具体的,亚阈值区域a是模拟存算的工作区域,图5为本发明实施例提供的一种电压与闪存单元电流的关系示意图,参见图5,亚阈值区域a是器件本身的特性,利用闪存单元器件的电流电压性能测试,或利用模型仿真,获得每个闪存单元的亚阈值区域a,其中,亚阈值区域a的电流,大概在十pa到几百na之间。示例性的,亚阈值区域a的电流可以适当划定的位数,从而获得电流的权重,例如根据电流大小可以分成7bit,从而获得0-127个权重。
67.s220、根据第一模拟电参数匹配亚阈值区域内的写入电压。
68.具体的,根据闪存单元的性能选择第一模拟参数作为闪存单元的存储电流,示例性的,当闪存单元的存储电流以权重表示时,相应的存储电流可以对应权重,根据第一模拟电参数或权重在亚阈值区域内匹配对应的写入电压。
69.s230、根据写入电压对闪存单元进行模拟闪存编程,将第一模拟电参数写入闪存单元。
70.具体的,通过模拟闪存编程对每一闪存单元进行编程,在编程中设置相应的写入电压可以调节闪存单元的存储电流,即第一模拟电参数或权重。示例性的,为了简化后续每一闪存单元的存储电流写入复杂度,可以对每一闪存单元写入相同的第一模拟电参数或权重。
71.s240、读取预处理后闪存单元的第一模拟电参数。
72.s250、对闪存芯片进行干扰处理。
73.s260、读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数。
74.s270、判断第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,若差值符合预设变化范围,则闪存单元的数据保持性能合格。
75.具体的,对器件进行数据保持测试,根据模拟闪存的应用对存储单元进行干扰处理前后的第一模拟电参数与第二模拟参数之间的差值,或者对存储单元进行干扰处理前后的权重的变化,作为合格或不合格的标准。通过差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响。
76.图6为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图,参见图6,该方法步骤包括:
77.在完成其他测试后,对闪存单元进行深入擦除,闪存单元擦除后为“1状态”,可以对每一闪存单元进行“1”读取,来判断每一个闪存单元被擦除成功,避免擦除失败,影响后续的检测精度。根据存储单元的性能得到亚阈值区域a,确定写入的第一模拟电参数对应的写入电压,对闪存单元进行模拟闪存编程,通过调节写入电压将第一模拟电参数写入至闪存单元,并读取编程结果,获得第一模拟电参数,避免编程错误或漏编从而影响后续编程精度。对每一闪存单元依次编程直至所有测试的闪存单元编程完成,对闪存单元进行干扰处理,示例性的,对闪存单元进行高温烘烤,再次读取闪存单元的存储电流即第二模拟电参数。若经过过长时间的烘焙后,获取的第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,该差值处于正常范围内,则说明闪存单元的数据保持性能稳定,若第一模拟电参数与第二模拟电参数差值超过正常范围,则说明闪存单元的数据保持性能存在缺陷。
78.图7为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图,参见图7,该方法步骤包括:
79.s310、擦除闪存单元的存储数据。
80.具体的,向闪存单元的浮栅中注入电荷表示写入了“0”,没有注入电荷表示写入“1”,因此对闪存单元的清除数据是写入“1”。在没有注入电荷时,闪存单元的工作区间e的浮置栅的电荷接近电荷中性,即中性态。图8为本发明实施例提供的一种闪存单元电流与样本数的关系示意图,参见图8,当存储数据为“1”状态时与中性态的电流的差值b,大于存储数据为“0”状态时和中性态的电流的差值c,因此在干扰处理后,由于存储数据为“0”状态时和中性态的电流的差值较小,存储数据为“0”状态的保持电流变化量,移动量较小,不便于采集。因此,优选的,可以保留存储数据为“1”状态的数据稳定测试,定义存储数据为“1”状态的最小的电流为。
81.s320、读取预处理后闪存单元的第一模拟电参数。
82.具体的,读取存储数据为“1”状态的第一模拟电参数。
83.s330、对闪存芯片进行干扰处理。
84.s340、读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数。
85.s350、判断第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,若差值符合预设变化范围,则闪存单元的数据保持性能合格。
86.具体的,经过干扰处理后,存储数据为“1”状态的电流减小,向“0”状态移动,读取此时的电流,即第二模拟电参数,根据第一模拟电参数和第二模拟电参数的差值,得到“1”状态数据保持的电流变化量d。电流变化量d是表征
‘1’
状态,也就是闪存单元的电流与电压曲线处于饱和区或线性区时随浮栅电荷变化而变化的量。若该电流变化量d仍大于或等于预设值,则说明闪存单元的数据保持性能合格。其中,预设值的选择根据对闪存单元的存储电流的变化大小的容忍需求进行设定。整个测试流程仅需一次干扰处理,测试周期短,无需在较深的擦除状态下进行干扰处理,即可实现数据保持的筛选,排除有异常的闪存单元,降低影响后续编程精度。
87.可选的,在擦除闪存单元的存储数据之后,还包括:
88.确定闪存单元的检测模拟电参数区间。
89.根据检测模拟电参数区间对闪存单元进行检测。若闪存单元的模拟参数在模拟电参数区间内,则闪存单元擦除正常。
90.具体的,根据闪存单元的性能,向闪存单元的浮栅中注入电荷表示写入了“0”,没有注入电荷表示写入“1”,因此,对闪存单元的清除数据是写入“1”。根据闪存单元的性能确定检测模拟电参数,检测模拟电参数是闪存单元擦除后的定义的存储电流,将定义的存储电流作为检测标准。对闪存单元进行擦除后,读取第一模拟电参数,若第一模拟电参数对应的存储电流大于定义的存储电流作,则表明闪存单元擦除成功,对擦除异常的闪存单元进行筛选。
91.图9为本发明实施例提供的又一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法的流程图,结合图8参见图9,在完成其他测试后,对闪存单元进行深入擦除,闪存单元擦除后为“1状态”,可以对每一闪存单元进行“1”读取,即读取第一模拟电参数,若闪存单元的存储电流大于擦除标准margin3,则判断闪存单元被擦除成功,避免擦除失败,影响后续的检测精度。对闪存单元进行干扰处理,示例性的,对闪存单元进行高温烘烤,再次读取闪存单元的存储电流即第二模拟电参数。经过干扰处理后,存储数据为“1”状态的电流减小,读取此时的电
流,即第二模拟电参数,根据第一模拟电参数和第二模拟电参数的差值,得到“1”状态数据保持的电流变化量d。若该电流变化量d仍大于预设值,则说明闪存单元的数据保持性能合格。其中,预设值的选择根据存储电流的变化大小的容忍需求进行设定。整个测试流程仅需一次干扰处理,测试周期短,无需在较深的擦除状态下进行干扰处理,即可实现数据保持的筛选,排除有异常的闪存单元,降低影响后续编程精度。
92.可选的,读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数,包括:
93.对闪存单元施加读取电压,读取闪存单元存储的第二模拟电参数。
94.具体的,在闪存单元上施加读取电压,将闪存单元的存储电流,即第二模拟电参数进行读取。对闪存单元施加读取电压的过程,也就是将存储电流从各个闪存单元中读出的过程。
95.可选的,对闪存芯片进行干扰处理包括对闪存芯片进行烘烤。
96.具体的,将闪存芯片置于容易造成数据丢失的模拟环境中,例如进行烘烤,对闪存芯片进行烘烤的目的是模拟现实环境中可能造成闪存单元数据保持能力下降的环境,为了防止闪存芯片在高温环境下被氧化,可以放置在氮气环境中。需要说明的是,本实施例中,易造成数据丢失的模拟环境,示例性的为高温环境,但并不做具体限定,仅作为说明。
97.图10为本发明实施例提供的一种闪存芯片的数据保持性能的筛选装置的结构示意图,参见图10,包括:
98.预处理模块110,用于对闪存芯片的闪存单元进行预处理。
99.第一读取模块120,用于读取预处理后闪存单元的第一模拟电参数。
100.干扰模块130,用于对闪存芯片进行干扰处理。
101.第一读取模块120,用于读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数。
102.判断模块140,用于判断第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,若差值符合预设变化范围,则闪存单元的数据保持性能合格。
103.具体的,闪存芯片内包括至少两个闪存单元,闪存单元通常以阵列形式排布。在进行数据保持性能筛选中,可以选取整个闪存芯片,或选取闪存芯片中的均匀区域内的闪存单元进行筛选测试。预处理是通过擦除/编程等处理过程改变闪存单元储存状态。现有技术中,通过棋盘编程对闪存单元进行数字编程,而本实施例中,示例性的,预处理模块110的预处理过程包括擦除闪存单元中存储数据,使擦除后闪存单元在接近中性储存状态,或通过模拟编程向存储单元中存储模拟数值,利用预处理后的闪存单元储存的模拟电参数进行后续的数据保持性能的筛选。
104.第一模拟电参数为闪存单元的浮置栅极中的沟道电流,其中,闪存单元具有源极、漏极、浮置栅极和控制栅极。浮置栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏,采用这种结构,从而使得闪存单元具有电荷保持能力。在对闪存单元进行预处理后,通过第一读取模块120在闪存单元上施加读取电压,读取闪存单元的第一模拟电参数。
105.干扰处理是将闪存芯片置于容易造成数据丢失的模拟环境的过程,用以检测闪存芯片经过模拟环境后,是否还具有良好的数据保持性能。干扰模块将闪存芯片进行高温烘焙,模拟高温环境对数据保持的影响。在干扰处理后,通过第一读取模块120在闪存单元上施加读取电压,读取闪存单元的第二模拟电参数。在干扰处理后,根据存储的电荷类型,闪
存单元的沟道电流可能变大或变小,因此,判断模块140通过获得干扰处理前后,第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,通过差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响。若经过过长时间的烘焙后,获取的第一模拟电参数与第二模拟电参数的差值,该差值处于正常范围内,则说明闪存单元的数据保持性能稳定,若第一模拟电参数与第二模拟电参数差值超过正常范围,则说明闪存单元的数据保持性能存在缺陷。
106.本发明实施例提供的技术方案,预处理模块通过对闪存芯片的闪存单元进行预处理,预处理后第一读取模块直接读取闪存单元的第一模拟电参数,干扰模块再进行干扰处理,第一读取模块读取干扰处理后闪存单元的第二模拟电参数,判断模块比较干扰处理前后的模拟电参数的变化差值,通过该差值反映干扰处理对闪存单元数据保持性能的影响,仅通过一次的干扰处理即可判断数据保持性能,减少测试周期提高测试效率,在预处理后进行读取,再进行干扰处理,从而降低对后续的编程精度的影响。
107.可选的,预处理模块包括:
108.获取单元,用于获取闪存单元的亚阈值区域a。其中,亚阈值区域a表征闪存芯片工作区域的电压范围。
109.匹配单元,用于根据第一模拟电参数匹配亚阈值区域a内的写入电压。
110.编程单元,用于根据写入电压对闪存单元进行模拟闪存编程,将第一模拟电参数写入闪存单元。
111.具体的,亚阈值区域a是模拟存算的工作区域,亚阈值区域a是器件本身的特性,获取单元利用闪存单元器件的电流电压性能测试,或利用模型仿真,获得每个闪存单元的亚阈值区域a,其中,亚阈值区域a的电流,大概在十pa到几百na之间。示例性的,亚阈值区域a的电流可以适当划定的位数,从而获得电流的权重,例如根据电流大小可以分成7bit,从而获得0-127个权重。根据闪存单元的性能选择第一模拟参数作为闪存单元的存储电流,示例性的,当闪存单元的存储电流以权重表示时,相应的存储电流可以对应权重,匹配单元根据第一模拟电参数或权重在亚阈值区域a内匹配对应的写入电压。编程单元通过模拟闪存编程对每一闪存单元进行编程,在编程中设置相应的写入电压可以调节闪存单元的存储电流,即第一模拟电参数或权重。示例性的,为了简化后续每一闪存单元的存储电流写入复杂度,可以对每一闪存单元写入相同的第一模拟电参数或权重。
112.可选的,预处理模块包括:
113.擦除单元,用于擦除闪存单元的存储数据。
114.具体的,向闪存单元的浮栅中注入电荷表示写入了“0”,没有注入电荷表示写入“1”,因此对闪存单元的清除数据是写入“1”。
115.图11提出了一种可以用来实施本发明的实施例的电子设备的结构示意图,参见图11,电子设备包括:
116.至少一个处理器。以及
117.与至少一个处理器通信连接的存储器。其中,
118.存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序,计算机程序被至少一个处理器执行,以使至少一个处理器能够执行权本发明实施例中任意的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法。
119.具体的,电子设备旨在表示各种形式的数字计算机,诸如,膝上型计算机、台式计
算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置,诸如,个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备(如头盔、眼镜、手表等)和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例,并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本发明的实现。
120.如图11所示,电子设备10包括至少一个处理器11,以及与至少一个处理器11通信连接的存储器,如只读存储器(rom)12、随机访问存储器(ram)13等,其中,存储器存储有可被至少一个处理器执行的计算机程序,处理器11可以根据存储在只读存储器(rom)12中的计算机程序或者从存储单元18加载到随机访问存储器(ram)13中的计算机程序,来执行各种适当的动作和处理。在ram 13中,还可存储电子设备10操作所需的各种程序和数据。处理器11、rom 12以及ram 13通过总线14彼此相连。输入/输出(i/o)接口15也连接至总线14。
121.电子设备10中的多个部件连接至i/o接口15,包括:输入单元16,例如键盘、鼠标等。输出单元17,例如各种类型的显示器、扬声器等。存储单元18,例如磁盘、光盘等。以及通信单元19,例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元19允许电子设备10通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
122.处理器11可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。处理器11的一些示例包括但不限于中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、各种专用的人工智能(ai)计算芯片、各种运行机器学习模型算法的处理器、数字信号处理器(dsp)、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。处理器11执行上文所描述的各个方法和处理,例如数据保持性能的筛选方法。
123.在一些实施例中,数据保持性能的筛选方法可被实现为计算机程序,其被有形地包含于计算机可读存储介质,例如存储单元18。在一些实施例中,计算机程序的部分或者全部可以经由rom 12和/或通信单元19而被载入和/或安装到电子设备10上。当计算机程序加载到ram 13并由处理器11执行时,可以执行上文描述的数据保持性能的筛选方法的一个或多个步骤。备选地,在其他实施例中,处理器11可以通过其他任何适当的方式(例如,借助于固件)而被配置为执行数据保持性能的筛选方法。
124.最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制。尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

技术特征:


1.一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,包括:对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理;读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数;对所述闪存芯片进行干扰处理;读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数;判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值,若所述差值符合预设变化范围,则所述闪存单元的数据保持性能合格。2.根据权利要求1所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,对所述闪存芯片进行预处理,包括:获取所述闪存单元的亚阈值区域;其中,所述亚阈值区域表征所述闪存芯片工作区域的电压范围;根据所述第一模拟电参数匹配所述亚阈值区域内的写入电压;根据所述写入电压对所述闪存单元进行模拟闪存编程,将所述第一模拟电参数写入所述闪存单元。3.根据权利要求1所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,对所述闪存芯片进行预处理,包括:擦除所述闪存单元的存储数据。4.根据权利要求3所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,在擦除所述闪存单元的存储数据之后,还包括:确定所述闪存单元的检测模拟电参数区间;根据所述检测模拟电参数区间对所述闪存单元进行检测;若所述闪存单元的模拟参数在所述模拟电参数区间内,则所述闪存单元擦除正常。5.根据权利要求1所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数,包括:对所述闪存单元施加读取电压,读取所述闪存单元存储的所述第二模拟电参数。6.根据权利要求1所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法,其特征在于,对所述闪存芯片进行干扰处理包括对所述闪存芯片进行烘烤。7.一种闪存芯片的数据保持性能的筛选装置,其特征在于,包括:预处理模块,用于对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理;第一读取模块,用于读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数;干扰模块,用于对所述闪存芯片进行干扰处理;第一读取模块,还用于读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数;判断模块,用于判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值,若所述差值符合预设变化范围,则所述闪存单元的数据保持性能合格。8.根据权利要求7所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选装置,其特征在于,所述预处理模块包括:获取单元,用于获取所述闪存单元的亚阈值区域;其中,所述亚阈值区域表征所述闪存芯片工作区域的电压范围;匹配单元,用于根据所述第一模拟电参数匹配所述亚阈值区域内的写入电压;
编程单元,用于根据所述写入电压对所述闪存单元进行模拟闪存编程,将所述第一模拟电参数写入所述闪存单元。9.根据权利要求7所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选装置,其特征在于,所述预处理模块包括:所述擦除单元用于擦除所述闪存单元。10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:至少一个处理器;以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序,所述计算机程序被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-6中任一项所述的闪存芯片的数据保持性能的筛选方法。

技术总结


本发明公开了一种闪存芯片的数据保持性能的筛选方法、装置及电子设备,所述方法包括,对所述闪存芯片的闪存单元进行预处理;读取预处理后所述闪存单元的第一模拟电参数;对所述闪存芯片进行干扰处理;读取所述干扰处理后所述闪存单元的第二模拟电参数;判断所述第一模拟电参数与所述第二模拟电参数的差值,若所述差值符合预设变化范围,则所述闪存单元的数据保持性能合格。本发明提供技术方案,减少了测试周期,提高测试效率,降低对后续的编程精度的影响。的影响。的影响。


技术研发人员:

王春明 张健 田豫 郭昕婕

受保护的技术使用者:

北京知存科技有限公司

技术研发日:

2022.08.23

技术公布日:

2022/11/22

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