一种发光二极管

本实用新型涉及半导体发光领域，尤其涉及一种发光二极管。

LED是英文light emitting diode的缩写，即：光线激发二极管，属于 一种半导体元器件。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组 成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在 某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多 余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电 压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的 二极管叫发光二极管，通称LED。

LED灯取代荧光灯照明是必然趋势，目前LED灯价格相对较高主要是LED 的发光管芯片成本很高，从而限制了LED灯快速的应用推广。

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单，易封装、成本低 廉、节能的发光二级管。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种发光二极管，包括 圆柱形外壳，所述圆柱形外壳底部设置有管座，所述管座中分别穿过阳极支 架、阴极支架，所述阳极支架上设置有反射塔，所述反射塔上固定有LED芯 片，所述阴极支架上设置有金属线，所述金属线与LED芯片连接。

所述圆柱形外壳与管座构成封闭结构，用于防止内部结构在工作时被空 气氧化，所述反射塔用于聚焦LED光强，并且分别与阳极支架、LED芯片导 通，所述金属线用于LED芯片导通。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述圆柱形外壳材质为透明环氧树脂，所述透明环氧树脂塑性 好，易封装，并且透光效果好，对发光二极管光强度影响小。

进一步，所述反射塔为凹形反射镜，所述凹形反射镜耐高温，并且具有 较好聚光、反射作用，用于增强LED发光强度。

进一步，所述金属线为钨、铜、铝金属线中一种，其中优选钨金属线， 由于钨金属耐高温，导电性强，可以延长金属线的使用时间，降低成本，但 本实用新型不局限于此。

本实用新型的有益效果是：结构简单、易封装、制造成本低廉、功耗低、 节能效果好，具有较好应用推广前景。

图1为本实用新型一种发光二极管结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、圆柱形外壳，2、LED芯片， 3、金属线，4、反射塔，5、管座，6、阳极支架，7、阴极支架。

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解 释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，一种发光二极管，包括圆柱形外壳1，所述圆柱形外壳1 底部设置有管座5，所述管座5中分别穿过阳极支架6、阴极支架7，所述阳 极支架6上设置有反射塔4，所述反射塔4上固定有LED芯片2，所述阴极 支架7上设置有金属线3，所述金属线3与LED芯片2连接。

所述圆柱形外壳1与管座5构成封闭结构，用于防止内部结构在工作时 被空气氧化，所述反射塔4用于聚焦LED光强，并且分别与阳极支架6、LED 芯片2导通，所述金属线3用于LED芯片2导通。

所述圆柱形外壳1材质为透明环氧树脂，所述透明环氧树脂塑性好，易 封装，并且透光效果好，对发光二极管光强度影响小。

所述反射塔4为凹形反射镜，所述凹形反射镜耐高温，并且具有较好聚 光、反射作用，用于增强LED发光强度。

所述金属线3为钨、铜、铝金属线中一种，其中优选钨金属线，由于钨 金属耐高温，导电性强，可以延长金属线3的使用时间，降低成本，但本实 用新型不局限于此。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡 在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均 应包含在本实用新型的保护范围之内。