HIT太阳能电池

高效HIT太阳能电池的发展现状
食疗歌
2013-5-27 13:17都是大姨妈惹的祸| 发布者: | 查看: 1973| 评论: 0|原作者: 乔秀梅,贾锐等|来自: Solarzoom
摘要:   摘要:带有本征薄层的异质结(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm(HIT))太阳能电池起源于Hamakawa等设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池,与单晶、非晶硅太阳能电池相比,其具有低温工艺,高的稳定性等优点, ...
  摘要:带有本征薄层的异质结(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm(HIT))太阳能电池起源于Hamakawa等设计的a-Si/c-Si堆叠太阳能电池,与单晶、非晶硅太阳能电池相比,其具有低温工艺,高的稳定性等优点,具有广阔的发展前景。
  本文介绍了HIT太阳能电池的基本结构和能带并对其特点进行了深入的分析,根据相关文献从清洗,透明导电氧化层(TCO)的制备,非晶硅层的制备,背表面场的制备等方面深入分析了HIT太阳能电池的技术发展状况,并以三洋公司为引线,简单介绍了HIT太阳能电池的产业发展现状。
  关键词:HIT;太阳能电池;结构;特点;技术发展;产业发展
  1HIT太阳能电池的结构及其特点
华中理工大学出版社
  太阳能电池的结构
  基本结构
  HIT电池的本质是异质结太阳能电池,于1951年就已经提出了异质结的概念,并且进行了理论分析,但是由于当时制备异质结的工艺技术十分复杂和困难,所以异质结的样品迟迟没有制备成功。1960年Anderson成功的制备出高质量的异质结样品,还提出了十分详细的理论模型和能带结构图。带本征薄层异质结(HIT)太阳能电池是由MakotoTanaka和MikioTaguchi等人于1992年在三洋公司第一次制备成功。图1为常见的双面异质结电池的结构示意图,其特征是三明治结构,中间为衬底p(n)型晶体Si,光照侧是n(p)-i型a-Si膜,背面侧是i-p+(n+)型a-Si膜,在两侧的顶层溅射TCO膜,电极丝印在TCO膜上,构成具有对称型结构的HIT太阳电池。本征a-Si:H起到钝化晶体硅表面的缺陷的作用。最常见的是p型硅基异质结太阳能电池,其广泛应用于光伏产业,因为p型硅片是常见的光伏材料且以p型单晶硅为衬底的电池接触电阻较低,但是由于硼和间隙氧的存在,使得以p型单晶硅为衬底的太阳电池有较严重的光照衰减问题。且由于c-Si(p)/a-Si(i/p)界面氢化非晶硅价带带阶()要比导带带阶大(),n型硅基比p型硅基更适合双面异质结太阳能电池。图2是异质结的能带图。对n型Si衬底HIT电池,前表面处较大的价带带阶形成少子空穴势阱,因势阱中空穴势垒较高,热发射概率小,从而有效地阻止了光生空穴的传输。在背面处,薄本征a-Si:H层以及n型a-Si:H层与n型c-Si形成有效的背表面场(BSF),其价带处较大的带阶及较厚的本征层形成了空穴反射镜,而导带处较小的带阶差对电子的传输不构成阻碍。即a-Si:H(i/n)提供了完美的多子输运的背接触及少子反射的反射镜。对p型衬底HIT电池,前表面处导带带阶小,电子受到较小的阻碍,比在n型衬底结构中更容易被收集,所以内建电压比n型衬底的低很多。在背面处,导带带阶小,形成的反射镜作用弱得多。另外,价带处大的带阶,在很大程度上阻碍了多子的收集。可见,理论上从带阶的比较中可以看出n型衬底比p型衬底更适合双面异质结太阳能电池。同时,n型衬底电池克服了p型Si衬底上电池的光致衰退现象,而且n型Si材料中高效复合中心的密度远低于p型材料。尽管如此,目前许多研究者还着重研究p型硅衬底异质结太阳能电池,因为p型硅衬底的少子是电子,而在p型材料中电子具有更高的体扩散长度。美国的NREL长期致力于p型硅基异质结太阳能电池的研究,且中国科学院的研究组通过AFORS-HET模拟得到TCO的功函数是影响p型硅基双面异质结太阳能电池的关键因素。
  衍生结构
  HIT太阳能电池结构简单,不需要通过复杂的工艺就可以获得高效率,通常一种工艺可实现多个功能,在a-Si/c-Si之间插入i-a-Si形成pn结的同时低温钝化硅表面,很大程度上减少了c-Si的表面复合。在电池背面用HIT结构钝化表面的同时可以形成背表面场,使得HIT电池有着对称结构,在一定程度上减少了电池的热应力和机械应力,允许薄硅片的使用,同时电池的背面可以利用地面的反射光产生电能。为了避免一般HIT电池的前TCO和a-Si:H发射层对光的吸收,一些科研人员于2007年提出IBC-SJ电池,这种电池的发射极和背接触以异质结的形式放在电池背面(图3),其效率到目前还很低(等人获得%的效率),但是理论研究得到这种电池的效率可超过26%。法国的等人在研究IBCSi-HJ电池时为了优化a-SI:H层材料提高表面钝化以减少阻抗损失制作了“倒置”Si-HJ电池(图4)。事实上,早在2006年Wünsch等人为了克服寄生吸收,第一次将异质结设计在电池背面。目前,德国的Martin等人设计的具有SHJ背发射极和扩散前表面场(FSF)的小面积n+np+n型硅太阳能电池(图5)已经获得%的效率。
  太阳能电池的特点
晋州市实验中学  低温工艺
  在HIT太阳能电池生产过程中,所有的加工温度都低于250oC,避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程,而且低温环境使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制。HIT太阳能电池要求本征非晶硅层有宽的光学带隙,而本征非晶硅薄膜的光学带隙随衬底的温度升高而降低(图6),同时当衬底温度较高时,将降低生长粒子SiH3的扩散能力,此时,非晶硅薄膜以SiH为主(SiH2+SiH4=SiH3+SiH3,SiH+SiH4=SiH2+SiH3,Si+SiH4=SiH+SiH3),同时留下大量的悬挂键,形成大量悬挂键缺陷态密度(图7),当温度较低时生长粒子SiH3具有较低的表面活性能,不容易到能量最低的位置成键而结晶,此时,表面氢以稳定的速率析出,而悬挂键的复合速率很小,从而导致悬挂键缺陷态密度的增加(图7)。同时过低的衬底温度会使非晶硅薄膜结构疏松,影响薄膜的质量,因此选择适合的温度有利于生长出高质量的薄膜,实验分析证明250℃时制备的薄膜质量最好。同时对于TCO膜(以ITO膜为例),薄膜的电阻率随着沉积温度的升高而下降直到200℃,然后随着沉积温度的升高又开始增加(图8),同时,基片温度对薄膜透射率有着明显的影响(图9)。因此,由图8、9可见,200℃为其优化的沉积温度,非常适合HIT太阳电池的低温制备工艺。
  低的加工温度预防了晶体硅基底整体性质的衰减,减轻了硅片的热应力和损坏,保持了硅片的原有质量,有利于实现硅片的轻薄化(当晶硅薄至160nm时,经过高温会因热应力而导致硅片弯曲),可以使硅片的厚度降低到光吸收所需的最小值,进一步降低了HIT电池的生产成本。
高的稳定性
  在HIT太阳能电池中不会出现非晶硅太阳能电池中常见的Staebler-Wronski效应,文献报道了对转换效率为20%的HIT太阳能电池样品在5个太阳强度下进行5h光辐射试验,结果是电池没有发生光照衰退现象(图10)。这表明a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池具有较高的光照稳定性,因此HIT太阳能电池的转换效率不会随着光照时间的增长而衰减。一般情况下,温度是决定太阳电池输出特性的关键因素之一,和传统的扩散pn结相比,HIT电池有着好的温度稳定性,传统扩散pn结太阳能电池的温度系数为%/℃,而异质结太阳能电池的温度系数可到达%/℃,这就使得电池在高温工作条件下电池的退化效率较小。从图11可以发现,Voc越高,输出特性的温度依存性越小。也就是说,开路电压高的HIT太阳电池表现出更好的温度特性。
埃尔博  2HIT太阳能电池的发展现状
  太阳能电池的技术发展路线影剧院
  清洗技术
  在HIT太阳能电池中,异质结决定电池的最终特性,晶体硅衬底作为异质结的一面,其表面的洁净程度是决定电池性能的关键因素之一,因此硅片的清洗是至关重要的一环,其目的是预防因硅片表面的不洁净而引进缺陷和杂质进一步增大结的复合而降低表面钝化。洁净的硅片表面是指硅表面不存在杂质颗粒、金属、有机物、湿气分子以及自然氧化膜。经过科研人员的大量科学研究,人们发现为了实现洁净的硅片表面,清洗硅片的一般思路是先去除有机物,再去除颗粒和金属,然后去除氧化层。目前最常用的硅片清洗方法是由WernerKern等人于1965年在美国的RCA实验室首创的RCA湿化学清洗法,并在1970年发表。RCA清洗法主要包括SPM(H2SO4:H2O2=3:1)亦称三号液去除有机物,DHF(HF:H2O=1:30)去除氧化层,APM(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)亦称一号液去除颗粒,HPM(HCL:H2O2:H2O=1:1:6)亦称二号液去除金属杂质。但是RCA清洗法使用大量的高纯度化学试剂,增加成本的同时也会对环境造成一定的污染。尤其是高浓度H2SO4在高温下,对环境极为不利。为了达到很好的清洗效果的同时降低成本,减少对环境的污染,人们对新的清洗剂和清洗工艺进行了深入的研究。据报道臭氧超纯水清洗法与RCA清洗法相比具有较大的优势,因为臭氧的氧化还原势比浓硫酸和过氧化氢都高,Jeon和Raghavan于1997年提出了利用兆声波激发臭氧水对硅片进行清洗,索尼公司的等人在室
温下交替用臭氧水和DHF清洗硅片数秒钟,可有效去除金属、颗粒、有机物,而不增加微粗糙度。

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